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申请/专利权人：浙江师范大学
摘要：本发明公开了一种背接触晶硅太阳电池及其制备方法，采用以p型单晶硅为衬底的太阳能电池，首先对单晶硅进行硼与磷的补偿性掺杂，杂质补偿度为5～15％，在硅片表面形成重掺杂p型区；然后采用脉冲激光熔覆技术，在选择性区域表面进行激光辐照形成重掺杂n型区，从而在激光辐照区与非辐照区交替出现n型和p型重掺杂区域；再采用激光烧蚀技术，对n型和p型重掺杂区域进行隔离，避免重掺杂区域的直接接触造成的金属正极与负极的短路；再利用热氧化技术生长一层氧化硅作为钝化层减低表面复合损失，最后采用激光烧蚀技术对氧化硅进行开槽，保证金属浆料与硅的接触。本发明利用激光熔覆与烧蚀技术不需要刻蚀浆料，具有工艺简单、精准度高、重复性好等特点，在降低IBC电池的生产成本、优化制造工艺等方面将起到积极的促进作用。
主权项：1.背接触晶硅太阳电池的制备方法，采用以p型单晶硅为衬底的太阳能电池，首先对单晶硅进行硼与磷的补偿性掺杂，杂质补偿度为5～15％，在硅片表面形成重掺杂p型区；然后采用脉冲激光熔覆技术，在选择性区域表面进行激光辐照形成重掺杂n型区，从而在激光辐照区与非辐照区交替出现n型和p型重掺杂区域；再采用激光烧蚀技术，对n型和p型重掺杂区域进行隔离，避免重掺杂区域的直接接触造成的金属正极与负极的短路；再利用热氧化技术生长一层氧化硅作为钝化层减低表面复合损失，最后采用激光烧蚀技术对氧化硅进行开槽，保证金属浆料与硅的接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江师范大学 一种背接触晶硅太阳电池及其制备方法
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