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申请/专利权人：上海新傲芯翼科技有限公司
摘要：本发明提供了一种键合晶圆中顶层硅层的氧化方法，包括：提供键合晶圆，键合晶圆包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层；对顶层硅层执行第一炉管氧化工艺和第二炉管氧化工艺，第一炉管氧化工艺在顶层硅层的表面形成第一氧化层，第二炉管氧化工艺在顶层硅层的表面形成第二氧化层，顶层硅层顶面的第一氧化层和第二氧化层的厚度分布相反，并且在执行第一炉管氧化工艺和第二炉管氧化工艺后均包括执行湿法刻蚀工艺，以去除第一氧化层和第二氧化层。本发明能够实现顶层硅层的减薄，并且提高顶层硅层的厚度均匀性。
主权项：1.一种键合晶圆中顶层硅层的氧化方法，其特征在于，包括：提供键合晶圆，所述键合晶圆包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层；对所述顶层硅层执行第一炉管氧化工艺和第二炉管氧化工艺，所述第一炉管氧化工艺在所述顶层硅层的表面形成第一氧化层，所述第二炉管氧化工艺在所述顶层硅层的表面形成第二氧化层，所述顶层硅层顶面的所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度分布相反，并且在执行所述第一炉管氧化工艺和所述第二炉管氧化工艺后均包括执行湿法刻蚀工艺，以去除所述第一氧化层和所述第二氧化层。
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权利要求：
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