龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供了一种键合晶圆中顶层硅层的氧化方法，包括：提供键合晶圆，键合晶圆包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层；对顶层硅层执行第一炉管氧化工艺和第二炉管氧化工艺，第一炉管氧化工艺在顶层硅层的表面形成第一氧化层，第二炉管氧化工艺在顶层硅层的表面形成第二氧化层，顶层硅层顶面的第一氧化层和第二氧化层的厚度分布相反，并且在执行第一炉管氧化工艺和第二炉管氧化工艺后均包括执行湿法刻蚀工艺，以去除第一氧化层和第二氧化层。本发明能够实现顶层硅层的减薄，并且提高顶层硅层的厚度均匀性。
主权项：1.一种键合晶圆中顶层硅层的氧化方法，其特征在于，包括：提供键合晶圆，所述键合晶圆包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层；对所述顶层硅层执行第一炉管氧化工艺和第二炉管氧化工艺，所述第一炉管氧化工艺在所述顶层硅层的表面形成第一氧化层，所述第二炉管氧化工艺在所述顶层硅层的表面形成第二氧化层，所述顶层硅层顶面的所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度分布相反，并且在执行所述第一炉管氧化工艺和所述第二炉管氧化工艺后均包括执行湿法刻蚀工艺，以去除所述第一氧化层和所述第二氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新傲芯翼科技有限公司 键合晶圆中顶层硅层的氧化方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号