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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明公开了一种二维MOSFETMFIS多功能开关存储器件及其制备方法，制备出了全二维结构的集开关和存储特性为一体的纳米级多功能器件。其中MOSFET结构为掺杂Si，二氧化硅，二维半导体纳米片和源漏电极，实现开关功能；MFIS结构包括顶栅电极，二维铁电薄膜，立方氮化硼绝缘层薄片，二维薄层半导体纳米片和源漏电极，实现存储功能。以二维材料为沟道的场效应晶体管迁移率达到700cm2Vs，开关比超过108；以二维铁电薄膜作为代替传统MFIS的铁电材料，突破了铁电薄膜的厚度限制，使其厚度降低至单原子层厚，约为1nm，通过施加在顶栅的电压大小，从而改变铁电薄膜的极化方向实现非易失信息存储。独特的二维MOSFETMFIS结构，极大地提高了晶体管集成度和信息存储密度。
主权项：1.一种二维MOSFETMFIS多功能开关存储器件，其特征在于，包括：p型或n型掺杂Si的底栅电极；二氧化硅栅极介质，设置于所述底栅电极之上；二维半导体纳米片作为沟道，设置于所述二氧化硅栅极介质上；绝缘层，边缘与所述二维半导体纳米片对齐并设置于其上；二维铁电薄膜实现铁电极化存储，其边缘与所述二维半导体纳米片及绝缘层对齐，并设置于所述绝缘层之上；以及导电金属材料作为源端电极、漏端电极与顶栅电极，所述源端电极与漏端电极设置于所述二维半导体纳米片两端，所述顶栅电极设置于所述二维铁电薄膜之上，控制擦写读取。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 二维MOSFET/MFIS多功能开关存储器件及其制备方法
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