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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种FinFET器件的形成方法，包括：S1：将衬底分为间隔的NMOS区域和PMOS区域；S2：在衬底上均形成多个栅极、多个硬掩膜层和介质层，多个栅极间隔，多个硬掩膜层分别位于栅极的表面，介质层覆盖部分衬底、硬掩膜层的表面、硬掩膜层的侧壁以及栅极的侧壁；S3：刻蚀PMOS区域的栅极之间的部分衬底，以在PMOS区域的栅极之间的衬底内形成鳍片沟槽；S4：使用臭氧对鳍片沟槽侧壁进行氧化，形成氧化层；S5：使用氢氟酸去除氧化层，以使得鳍片沟槽的宽度和深度均增大；S6：循环S4和S5若干次，以形成目标宽度和深度的鳍片沟槽；S7：在鳍片沟槽内形成鳍片。
主权项：1.一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供衬底，将所述衬底分为间隔的NMOS区域和PMOS区域；步骤S2：在NMOS区域和PMOS区域的衬底上均形成多个栅极、多个硬掩膜层和介质层，多个所述栅极间隔，多个所述硬掩膜层分别位于所述栅极的表面，所述介质层覆盖部分所述NMOS区域的衬底、部分PMOS区域的衬底、所述硬掩膜层的表面、所述硬掩膜层的侧壁以及所述栅极的侧壁；步骤S3：刻蚀所述PMOS区域的栅极之间的部分衬底，以在所述PMOS区域的栅极之间的衬底内形成鳍片沟槽；步骤S4：使用臭氧对鳍片沟槽侧壁进行氧化，形成氧化层；步骤S5：使用氢氟酸去除所述氧化层，以使得鳍片沟槽的宽度和深度均增大；步骤S6：循环步骤S4和步骤S5若干次，以形成目标宽度和目标深度的鳍片沟槽；步骤S7：在所述鳍片沟槽内形成鳍片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 FinFET器件的形成方法
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