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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供一种基于基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法，其中基于四方相铁酸铋的MFIS结构，包括：一单晶Si衬底；一绝缘介质层，其制作在半导体单晶Si衬底上，该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化学反应，有效降低MFIS结构的电荷注入效应并防止击穿现象发生；一T‑BiFeO3铁电功能层，其制作在绝缘介质层上，该T‑BiFeO3铁电功能层是基于四方相铁酸铋MFIS结构的信息存储载体，它具有较大的铁电矫顽场和较高的铁电极化，能有效增大MFIS结构的存储窗口；一金属栅顶电极，其制作在T‑BiFeO3铁电功能层上；一背电极，其制作在单晶Si衬底的背面。
主权项：一种基于四方相铁酸铋的MFIS结构，包括：一单晶Si衬底；一绝缘介质层，其制作在半导体单晶Si衬底上，该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化学反应，有效降低MFIS结构的电荷注入效应并防止击穿现象发生；一T‑BiFeO3铁电功能层，其制作在绝缘介质层上，该T‑BiFeO3铁电功能层是基于四方相铁酸铋MFIS结构的信息存储载体，它具有较大的铁电矫顽场和较高的铁电极化，能有效增大MFIS结构的存储窗口；一金属栅顶电极，其制作在T‑BiFeO3铁电功能层上；一背电极，其制作在单晶Si衬底的背面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法
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