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申请/专利权人：圆益QNC股份有限公司
摘要：本发明涉及如下的半导体制造装置用氮化铝AlN加热器的干式清洗方法及干式清洗装置，在半导体制造工序中可以有效去除在AlN加热器生成的含氟污染物，尤其，可以同时有效地去除有机性和金属性及无机性的污染物。根据本发明，本发明提供半导体制造装置用AlN加热器的干式清洗方法，作为用于清洗半导体制造装置的AlN加热器的清洗方法，其特征在于，包括：使用激光确定步骤，确定对AlN加热器使用的使用激光；激光控制因素确定步骤，针对在上述使用激光确定步骤中确定的使用激光确定AlN加热器的清洗所需要的激光控制因素；以及清洗步骤，基于在上述激光控制因素确定步骤中确定的激光控制因素照射激光并清洗AlN加热器。
主权项：1.一种半导体制造装置用氮化铝加热器的干式清洗方法，用于清洗半导体制造装置的氮化铝加热器，其特征在于，包括：使用激光确定步骤，确定对氮化铝加热器使用的使用激光；激光控制因素确定步骤，针对在上述使用激光确定步骤中确定的使用激光确定氮化铝加热器的清洗所需要的激光控制因素；以及清洗步骤，基于在上述激光控制因素确定步骤中确定的激光控制因素照射激光并清洗氮化铝加热器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 圆益QNC股份有限公司 半导体制造装置用AlN加热器的干式清洗方法及装置
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