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申请/专利权人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要:本发明公开了一种Ga辅助AlN薄膜的生长方法及应用。所述生长方法包括:在衬底周围形成等离子体,向所述等离子体中通入含氮气体和氢气,并在1000℃以上的温度下通入气态的Al源和Ga源,在Ga源分解产生的Ga元素的催化作用下,在所述衬底表面沉积形成AlN薄膜。本发明所提供的生长方法首次发现了Ga在MPCVD生长AlN薄膜时的催化作用,在微波等离子体、氢气等条件的作用下,作为催化剂的Ga不会结合在AlN薄膜中,因此得到的AlN薄膜具有较高的纯度以及结晶度,并且发现Ga的催化作用显著提高了AlN薄膜生长速率,最终在Ga的催化作用下获得了高生长速率、高品质的AlN薄膜。
主权项:1.一种Ga辅助AlN薄膜的生长方法,其特征在于,包括:在衬底周围形成等离子体;向所述等离子体中通入含氮气体和氢气,并在1000℃以上的温度下通入气态的Al源和Ga源,在Ga源分解产生的Ga元素的催化作用下,在所述衬底表面沉积形成AlN薄膜。
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