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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：横向叠片电压倍增二极管封装结构。涉及半导体器件。包括依次连接的引线A、钉头A、堆叠芯片、钉头B和引线B；所述堆叠芯片包括至少两片通过焊片固定连接的芯片；所述钉头A和钉头B分别呈圆台状，分别与所述堆叠芯片的焊接面积不小于70%；所述钉头A、堆叠芯片和钉头B分别通过塑封体封装。所述芯片为100mil的二极管芯片。所述堆叠芯片包括依次通过焊片固定连接的芯片A、芯片B、芯片C和芯片D。本实用新型加工工艺简单，易于大批量生产，且总体投入成本低。
主权项：1.横向叠片电压倍增二极管封装结构，其特征在于，包括依次连接的引线A（100）、钉头A（200）、堆叠芯片（300）、钉头B（400）和引线B（500）；所述堆叠芯片（300）包括至少两片通过焊片固定连接的芯片；所述钉头A（200）和钉头B（400）分别呈圆台状，分别与所述堆叠芯片（300）的焊接面积不小于70%；所述钉头A（200）、堆叠芯片（300）和钉头B（400）分别通过塑封体（600）封装。
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