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一种微弱信号保护二极管阵列封装结构 

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申请/专利权人:中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

摘要:一种微弱信号保护二极管阵列封装结构,属于微电子器件封装技术领域。包括陶瓷底座本体,芯片焊接区,引线键合区,引线键合区陶瓷表面,引线键合区金属化层,环形边框,半圆形空心凹槽,半圆形空心金属化凹槽,芯片焊接区平底凹坑陶瓷表面,芯片焊接区金属化层,外引脚背面金属化层,封口环,外壳盖板。根据芯片的高度,将芯片粘接区域较键合区域下沉设计,实施台阶式键合。为方便成品焊接,在引脚外部一侧设计为半圆形空心金属化凹槽,增加引脚可靠性焊接。解决了现有二极管芯片阵列封装外壳尺寸过大,且单平面的引脚焊接可靠性差,无法满足小型化、轻量化、高可靠性的问题。广泛应用于高频信号、微弱信号、抗电磁干扰要求较高的封装技术领域。

主权项:1.一种微弱信号保护二极管阵列封装结构,其特征在于:包括陶瓷底座本体,芯片焊接区,引线键合区,引线键合区陶瓷表面,引线键合区金属化层,环形边框,半圆形空心凹槽,半圆形空心金属化凹槽,芯片焊接区平底凹坑陶瓷表面,芯片焊接区金属化层,外引脚背面金属化层,封口环,外壳盖板;所述芯片焊接区及引线键合区位于陶瓷底座本体的内腔区域,芯片焊接区为平底凹坑,在平底凹坑的芯片焊接区平底凹坑陶瓷表面上面为芯片焊接区金属化层;引线键合区与芯片焊接区形成台阶形状,台阶的高度即为平底凹坑的深度,平底凹坑的深度为二极管芯片的厚度;在引线键合区陶瓷表面的上面为引线键合区金属化层;所述环形边框位于陶瓷底座本体周边,高于陶瓷底座本体的底平面;封口环位于环形边框的上面,封口环的上面为外壳盖板,外壳盖板与陶瓷底座本体的底平面、环形边框、封口环围合成封闭空间的腔体;所述半圆形空心凹槽位于陶瓷底座本体的侧面,垂直于陶瓷底座本体的底面,在半圆形空心凹槽的中下端为半圆形空心金属化凹槽,半圆形空心金属化凹槽与外引脚背面金属化层电气连接;所述引线键合区分布于芯片焊接区的两端,形成在一个通道单元,多个通道单元并列布局,形成二极管阵列布局;二极管芯片的衬底为正极,二极管芯片的表面为负极,有两个键合区域,单独键合一个区域为单相二极管,分别键合两个区域为正反双向二极管。

全文数据:

权利要求:

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