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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本公开涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体壳层的方法和设备。改变跨在基板组件内的内部电极和外部电极的电压电流分布促成等离子体跨基板的空间分布。所述方法包括：将第一射频功率提供到嵌入在基板支撑组件中的中心电极；将第二射频功率提供到嵌入在所述基板支撑组件中位于与所述中心电极不同的位置处的环形电极，其中所述环形电极周向地环绕所述中心电极；监测所述第一射频功率和所述第二射频功率的参数；以及基于所监测的参数来调整所述第一射频功率和所述第二射频功率中的一者或两者。
主权项：1.一种半导体处理腔室，包括：基座，所述基座设置在所述腔室中，所述基座具有第一电极和周向地环绕所述第一电极的第二电极；高频电源和低频电源，所述高频电源和所述低频电源耦接到所述第一电极和所述第二电极两者；功率分配器，所述功率分配器设置在所述高频电源和所述低频电源与所述第一电极和所述第二电极之间；以及电极调谐电路，所述电极调谐电路耦接到所述第一电极和所述第二电极两者，所述电极调谐电路包括：多个电容器，所述多个电容器中的一个电容器经由所述功率分配器直接地耦接到所述高频电源，以及电感器，所述电感器经由所述功率分配器直接地耦接到所述低频电源。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 具有多个射频网孔以控制等离子体均匀性的静电卡盘
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