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申请/专利权人：博瑞集信(西安)电子科技股份有限公司

摘要：本申请涉及微电子、半导体及集成电路技术领域，揭示了一种ESD保护电路，所述ESD保护电路包括：ESD保护二极管、大电流泄放通路、二极管保护监测电路与快速响应结构。本发明能够通过快速响应结构、大电流泄放通路栅极电阻R1、大电流泄放通路源极电阻R2，并结合了ESD保护电路与ESD保护二极管，提高了ESD保护电路可靠性以及ESD保护电路的效果。

主权项：1.一种ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括：ESD保护二极管、大电流泄放通路、二极管保护监测电路与快速响应结构；所述ESD保护二极管D1的第一端与电压输入端VIN连接，所述ESD保护二极管D1的第二端与接地端GND连接；所述大电流泄放通路包括放大管M1、大电流泄放通路栅极电阻R1和大电流泄放通路源极电阻R2，所述放大管M1的栅极G与所述大电流泄放通路栅极电阻R1第一端相接，所述放大管M1的漏极D与所述电压输入端VIN相接，所述放大管M1的源极S与所述大电流泄放通路源极电阻R2第一端相连，所述大电流泄放通路源极电阻R2第二端与所述接地端GND连接；所述二极管保护监测电路包括m个正向串联连接二极管D2和n个反向串联连接二极管D3，所述m和n是大于或等于1的整数，所述m个正向串联连接二极管D2的第一个正向二极管D21的阳极与所述电压输入端VIN连接，所述m个正向串联连接二极管D2的最后一个正向二极管D2m的阴极与所述大电流泄放通路中大电流泄放通路栅极电阻R1第二端连接，所述n个反向串联连接二极管D3的第一个反向二极管D31阴极与所述大电流泄放通路中大电流泄放通路栅极电阻R1第二端连接，所述n个反向串联连接二极管D3的最后一个反向二极管D3n阳极与所述接地端GND连接；所述快速响应结构包括快速响应电阻R3、快速响应电阻R4、快速响应电容C1；所述快速响应电阻R3的第一端与所述电压输入端VIN连接，所述快速响应电阻R3的第二端与所述大电流泄放通路中的大电流泄放通路栅极电阻R1的第二端连接，所述快速响应电阻R4的第一端与所述大电流泄放通路栅极电阻R1第二端连接，所述快速响应电阻R4的第二端与所述接地端GND连接，所述快速响应电容C1第一端与所述快速响应电阻R3第一端相连，所述快速响应电容C1的第二端与所述快速响应电阻R3的第二端相连；内部工作电路的一端与所述电压输入端VIN连接，内部工作电路的另一端与所述接地端GND连接。

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