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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SOILDMOS与SGT集成器件的制造方法。供SOI衬底；刻蚀SGT区域位置处的半导体薄层和绝缘层露出N+型半导体层；通过掺杂外延工艺在外露的半导体薄层和所述N+型半导体层的上表面外延生长形成N‑型外延层；在LDMOS区域制作形成隔离深沟槽和隔离浅沟槽；制作形成隔离氧化层；在SGT区域刻蚀所述N‑型外延层制作形成栅沟槽和隔离沟槽；在SGT区域制作形成第一多晶硅；在SGT区域制作形成第二多晶；制作形成LDMOS区域的P型体区、N型漂移区和N型阱区，制作形成SGT区域中的P型阱区，所述P型阱区位于所述栅沟槽上部周围的N‑型外延层中；制作形成LDMOS区域和SGT区域的重掺杂区，制作形成LDMOS区域的栅极结构。

主权项：1.一种SOILDMOS与SGT集成器件的制造方法，其特征在于，所述SOILDMOS与SGT集成器件的制造方法包括以下步骤：供SOI衬底，所述SOI衬底包括N+型半导体层、形成于所述N+型半导体层上的绝缘层和形成于所述绝缘层上的半导体薄层；刻蚀SGT区域位置处的半导体薄层和绝缘层露出N+型半导体层；通过掺杂外延工艺在外露的半导体薄层和所述N+型半导体层的上表面外延生长形成N-型外延层；在LDMOS区域制作形成隔离深沟槽和隔离浅沟槽，所述隔离深沟槽在所述LDMOS区域从所述N-型外延层的上表面向下延伸依次穿过N-型外延层、半导体薄层、绝缘层后伸入N+型半导体层中，所述隔离浅沟槽形成于所述隔离深沟槽的顶端周围；制作形成隔离氧化层，所述隔离氧化层填充满隔离浅沟槽、覆盖在隔离深沟槽的内表面上；在带有隔离氧化层的隔离深沟槽中填充形成隔离多晶硅；在SGT区域刻蚀所述N-型外延层制作形成栅沟槽和隔离沟槽，所述隔离沟槽位于SGT区域与所述LDMOS区域相邻的区域；在SGT区域制作形成第一多晶硅，所述第一多晶硅填充满所述隔离沟槽和填充所述栅沟槽的下部；在SGT区域制作形成第二多晶硅，所述第二多晶硅填充所述栅沟槽的上部；制作形成LDMOS区域的P型体区、位于所述P型体区一侧的N型漂移区和形成于N型漂移区中的N型阱区，制作形成SGT区域中的P型阱区，所述P型阱区位于所述栅沟槽上部周围的N-型外延层中；制作形成LDMOS区域和SGT区域的重掺杂区，制作形成LDMOS区域的栅极结构，所述栅极结构的两端跨接在所述P型体区和位于所述N型漂移区中的浅沟槽隔离结构上。

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