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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该制备方法包括：提供基底；在基底上形成沿第一方向延伸的多个第一结构；在第一结构的侧面形成牺牲层；在牺牲层的侧面形成外部间隔层；去除部分外部间隔层得到图案化的外部间隔层，以暴露出部分牺牲层；去除牺牲层，以于图案化的外部间隔层及第一结构之间形成空气间隙。上述制备方法可使牺牲层完整去除，并提高空气间隙周围的表面的均匀性。
主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成沿第一方向延伸的多个第一结构；在所述第一结构的侧面形成牺牲层和位于所述牺牲层的顶面的内部间隔层；在所述牺牲层和所述内部间隔层的侧面形成外部间隔层；通过沉积工艺在所述多个第一结构之间形成填充介质层；通过研磨工艺去除所述外部间隔层顶面上方的所述填充介质层，使所述填充介质层的顶面与所述外部间隔层的顶面齐平；在所述外部间隔层和所述填充介质层上形成掩膜层和光阻层，对所述光阻层进行曝光显影以形成沿第二方向延伸的图案化光阻层，基于所述图案化光阻层对所述掩膜层进行刻蚀，以形成沿第二方向延伸的图案化掩膜层；以所述图案化掩膜层为掩膜对所述外部间隔层和所述填充介质层进行刻蚀，去除部分所述外部间隔层和部分所述填充介质层，得到所述图案化的外部间隔层，以暴露出部分所述牺牲层；去除所述牺牲层，以于所述图案化的外部间隔层及所述第一结构之间形成空气间隙；其中，所述图案化的外部间隔层包括多个外部间隔块，所述多个外部间隔块和所述空气间隙沿所述第一方向间隔分布于所述基底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件的制备方法及半导体器件
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