龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：和舰芯片制造(苏州)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种改善PowerMOSFETSplitGate产品漏电的方法，其包括以下步骤：S1、提供一具有沟槽的半导体基底；S2、在所述沟槽内进行高密度等离子体多晶硅沉积；S3、将步骤S2中得到的产品进行平坦化处理；S4、对步骤S3得到的产品进行BOE酸预浸；S5、对步骤S4得到的产品沉积线形氧化层；S6、将步骤S5得到的产品进行氧化物浸渍光刻；S7、对步骤S6得到的产品进行BOE酸浸渍；S8、将步骤S7中得到的产品沉积GOX氧化层。本发明可以有效改善BOE酸过快蚀刻IPOprofile的问题，从而改善WATIGSS，提升整体器件的性能；而且增加的步骤简单易实现，不会增加过多的成本，为场效应晶体管沟槽的制作提供了新思路。
主权项：1.一种改善PowerMOSFETSplitGate产品漏电的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一具有沟槽的半导体基底；S2、在所述沟槽内进行高密度等离子体多晶硅沉积；S3、将步骤S2中得到的产品进行平坦化处理；S4、对步骤S3得到的产品进行BOE酸预浸；S5、对步骤S4得到的产品沉积线形氧化层；S6、将步骤S5得到的产品进行氧化物浸渍光刻；S7、对步骤S6得到的产品进行BOE酸浸渍；S8、将步骤S7中得到的产品沉积GOX氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 一种改善Power MOSFET Split Gate产品漏电的方法及SGT Power MOSFET
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号