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申请/专利权人：西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)
摘要：本发明涉及SiC衬底稳固技术领域，公开了一种PECVD用抗翘曲SiC衬底稳固装置，包括衬底加热铝盘，衬底加热铝盘上开设有第一顶针通孔，还包括陶瓷吸盘，陶瓷吸盘包括从上到下依次设置在衬底加热铝盘底部的吸盘上板和吸盘下板；吸盘上板上开设有第二顶针通孔，吸盘上板上固定有多个吸盘吸嘴；吸盘下板上设置有供升降顶针穿过的第三顶针通孔和吸盘气道，升降顶针依次穿过第二顶针通孔和第一顶针通孔，吸盘气道与吸盘吸嘴连通，吸盘气道的一端连通有吸盘抽气孔。本发明通过在加热盘上增加吸盘的方式，在沉积反应工艺过程中，对SiC衬底进行吸附，使SiC衬底在高温环境中保持沉积面的平整，进而达到沉积均匀性的保证。
主权项：1.一种PECVD用抗翘曲SiC衬底稳固装置，包括衬底加热铝盘，所述衬底加热铝盘上开设有第一顶针通孔，其特征在于：还包括陶瓷吸盘，所述陶瓷吸盘包括从上到下依次设置在衬底加热铝盘底部的吸盘上板和吸盘下板；所述吸盘上板上开设有第二顶针通孔，所述吸盘上板上固定有多个吸盘吸嘴；所述吸盘下板上设置有供升降顶针穿过的第三顶针通孔和吸盘气道，所述吸盘气道与所述吸盘吸嘴连通，所述吸盘气道的一端连通有吸盘抽气孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种PECVD用抗翘曲SiC衬底稳固装置
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