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申请/专利权人：中机半导体材料(深圳)有限公司
摘要：本发明涉及一种用于单晶硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法。制备方法包括：用稀盐酸溶液浸泡阳离子交换树脂柱20~40min，用清水进行清洗，得到阳离子树脂处理溶液；在搅拌状态下缓慢加入低度水玻璃溶液，得到常温下pH值为4‑5的新生硅酸溶液；在反应釜中依次加入碱性溶液和新生硅酸溶液，升温至97~99℃，得到釜内溶液pH值为12‑15；向釜内溶液加入表面活性剂和络合剂，继续滴加氢氧化钠溶液调节pH值至9‑10，停止添加新生硅酸溶液后升温保温；将溶液通风冷却后过滤；进行纯化，并添加螯合剂进行调节，得到高纯硅溶胶。本发明将离子交换、酸碱处理和螯合剂调节的工艺结合，得到具有高纯度和良好抛光效果的硅溶胶。
主权项：1.一种用于单晶硅衬底抛光的高纯硅溶胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、用稀盐酸溶液浸泡阳离子交换树脂柱20~40min，用清水进行清洗至排出溶液的pH为7，得到阳离子树脂处理溶液；S2、在搅拌状态下，向所述阳离子交换树脂柱中缓慢加入低度水玻璃溶液，得到常温下pH值为4-5的新生硅酸溶液；S3、在反应釜中依次加入碱性溶液和所述新生硅酸溶液，升温至97~99℃，得到釜内溶液pH值为12-15；S4、向釜内溶液加入表面活性剂和络合剂，同时继续滴加氢氧化钠溶液调节pH值至9-10，停止添加新生硅酸溶液后升温保温；S5、将溶液放入池中通风冷却，进行过滤；S6、将过滤后的溶液进行纯化，并添加螯合剂进行调节，得到高纯硅溶胶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中机半导体材料(深圳)有限公司 用于单晶硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法
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