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申请/专利权人：成都拓维高科光电科技有限公司
摘要：本发明公开了一种普通金属掩膜版，包括基片，基片包括AA区和位于AA区外将AA区包围在内的边缘区，边缘区包括左边缘区、右边缘区、上边缘区和下边缘区，上边缘区的边缘部分为上夹持区，下边缘区的边缘部分为下夹持区，所述上夹持区和下夹持区各自包括若干夹持位，相邻两个夹持位之间夹持一个空腔，空腔向AA区方向延伸，夹持位边缘线与半球形腔边缘线连接形成边缘曲线型图案，上夹持区与AA区之间以及下夹持区与AA区之间各自设置有第一条形缓冲区，上夹持区与相应的第一条形缓冲区以及下夹持区与相应的第一条形缓冲区之间各自设置有缓冲槽，缓冲槽位于半球形腔与AA区之间。本发明通过力学角度的优化，改进了掩膜版边缘设计以减小张网效应。这有望提高图案的精度、制程的一致性，以及减小制程中的形变和变形。
主权项：1.一种普通金属掩膜版，包括基片1，基片1包括AA区2和位于AA区2外将AA区2包围在内的边缘区，边缘区包括左边缘区3、右边缘区4、上边缘区5和下边缘区6，上边缘区5的边缘部分为上夹持区7，下边缘区6的边缘部分为下夹持区8，其特征在于，所述上夹持区7和下夹持区8各自包括若干夹持位10，相邻两个夹持位10之间夹持一个空腔11，空腔11向AA区2方向延伸，延伸幅度基本为半球形腔12，夹持位10边缘线与半球形腔12边缘线连接形成边缘曲线型图案，上夹持区7与AA区2之间以及下夹持区8与AA区2之间各自设置有第一条形缓冲区14，上夹持区7与相应的第一条形缓冲区14以及下夹持区8与相应的第一条形缓冲区14之间各自设置有缓冲槽13，缓冲槽13位于半球形腔12与AA区2之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都拓维高科光电科技有限公司 一种普通金属掩膜版
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