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申请/专利权人：瓮福(集团)有限责任公司
摘要：本发明公开了一种微波等离子体化学气相沉积制备硅产品的装置及方法，所述装置通过矩形波导管的微波馈入面将微波馈入低压真空的反应腔体内，激发前驱气体形成等离子体，从而实现硅膜的沉积。本发明矩形波导管微波馈入面上设置的缝隙天线阵中平行缝隙可截断波导表面电流，使电磁波最大程度的从波导中辐射进入反应腔体内，垂直缝隙用于补足电磁波的相位差，使电磁波在反应腔体的等离子体区域均匀分布，从而在反应腔体的等离子体区域产生稳定、均匀的等离子体，提升硅膜沉积的均匀性。所述方法通过调控反应原料氢气和四氟化硅的流量比，可以使制备的硅产品呈现出不同的结构，如非晶硅、多晶硅和单晶硅。
主权项：1.一种微波等离子体化学气相沉积制备硅产品的装置，其特征在于：包括反应腔体以及与所述反应腔体连接的供气系统、压力控制系统和微波能量传输系统，所述反应腔体内部设置有用来装载基片的载物台，反应腔体正对载物台的顶面设置微波馈入窗口，所述微波能量传输系统包括微波发生器和与所述微波发生器连通的矩形波导管，所述矩形波导管的另一端口短路，所述矩形波导管具有一微波馈入面，所述微波馈入面开设有缝隙天线阵，所述缝隙天线阵包括数个等距排列的矩形缝隙，所述矩形缝隙由两条垂直于矩形波导管宽边的垂直缝隙和两条平行于矩形波导管宽边的平行缝隙组成，所述矩形波导管的微波馈入面与所述反应腔体的微波馈入窗口贴合；所述供气系统包括气体储存装置和将气体储存装置与所述反应腔体连通的连接管道，所述连接管道上设置有气体流量控制器，所述气体储存装置包括氢气储存装置、四氟化硅储存装置和氩气储存装置；所述压力控制系统包括分子泵。
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权利要求：
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