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申请/专利权人：吉林华微电子股份有限公司
摘要：本申请提供一种可控硅芯片的制作方法及可控硅芯片，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供一硅片，硅片包括第一表面及第二表面；在第一表面及第二表面分别形成第一氧化层及第二氧化层；对第一氧化层及第二氧化层进行光刻，在第一氧化层分别形成暴露出第一表面的第一窗口及第二窗口，在第二氧化层形成暴露出第二表面的第三窗口；使用磷源进行预扩散，分别形成第一磷层及第二磷层；在第一磷层远离第一表面的一侧形成屏蔽层；根据第一磷层及第二磷层对硅片进行二次预扩散及主扩散，形成正面发射区、门极及背面发射区，正面发射区及门极的掺杂浓度小于背面发射区的掺杂浓度，如此，可以实现各个象限的触发电流差值较小，同时保持dvdt参数的稳定性。
主权项：1.一种可控硅芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅片，所述硅片包括第一表面及与所述第一表面相对设置的第二表面；在所述第一表面及所述第二表面分别形成第一氧化层及第二氧化层；对所述第一氧化层及所述第二氧化层进行光刻，在所述第一氧化层分别形成暴露出所述第一表面的第一窗口及第二窗口，在所述第二氧化层形成暴露出所述第二表面的第三窗口；使用磷源进行预扩散，分别形成覆盖所述第一氧化层、所述第一窗口与所述第二窗口的第一磷层以及覆盖所述第二氧化层与所述第三窗口的第二磷层；在所述第一磷层远离所述第一表面的一侧形成屏蔽层；根据所述第一磷层及所述第二磷层对所述硅片进行二次预扩散及主扩散，分别在所述第一窗口及所述第二窗口远离所述第一氧化层的一侧形成正面发射区及门极，在所述第三窗口远离所述第二氧化层的一侧形成背面发射区，所述正面发射区及所述门极的掺杂浓度小于所述背面发射区的掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉林华微电子股份有限公司 可控硅芯片的制作方法及可控硅芯片
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