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申请/专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种双异质结双极性晶体管。双异质结双极性晶体管包括依次叠层设置的N型GaAs子集电极层、N型GaAs集电极层、P型基极层、N型GaInP发射极层、N型InGaAs接触层，P型基极层为P型GaAs（1‑x）Sbx，A，d1GaAs，B，d2GaAs（1‑y）Sby，C，d3GaAs，B，d2四层晶格层的多周期重复结构。采用该结构能将基极层的电子束缚在GaAs（1‑x）Sbx层中，将基极层的空穴束缚在GaAs（1‑y）Sby层中，中间有GaAs层间隔，有效实现电子和空穴在物理空间上的分离，减小它们在基区中的复合几率，从而能有效提高集电极电流Ic，进而提高电流增益β值。
主权项：1.一种双异质结双极性晶体管，其特征在于，所述双异质结双极性晶体管包括依次叠层设置的N型GaAs子集电极层、N型GaAs集电极层、P型基极层、N型GaInP发射极层、N型InGaAs接触层，所述P型基极层为P型GaAs（1-x）Sbx，A，d1GaAs，B，d2GaAs（1-y）Sby，C，d3GaAs，B，d2四层晶格层的多周期重复结构，x、y表示GaAsSb层中Sb组分的百分比，x和y的关系满足x≥y，A、B、C表示P型载流子浓度数值，满足ABC，d1、d2、d3为每层厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州晶歌半导体有限公司 双异质结双极性晶体管
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