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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本揭示内容提供一种制造半导体装置的方法、多栅极半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括提供从基板延伸的第一鳍。在一些实施方式中，方法还包括在第一鳍上形成第一栅极堆叠。在一些示例中，方法还包括沿着第一鳍的表面及第一栅极堆叠下方形成第一掺杂层。在一些实施中，第一掺杂层的第一掺杂剂种类与半导体装置的源极漏极特征的第二掺杂剂种类具有相同的极性。
主权项：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供从一基板延伸的一第一鳍；形成一第一栅极堆叠在该第一鳍上；以及形成一第一掺杂层沿着该第一鳍的一表面及该第一栅极堆叠下方，其中该第一掺杂层的一第一掺杂剂种类与该半导体装置的一源极漏极特征的一第二掺杂剂种类具有相同的一极性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体装置的方法、多栅极半导体装置及其制造方法
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