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申请/专利权人:佛山中锦微电科技有限公司
摘要:利用栅极充放电与Vth差压的缺省型泵浦电路,所述Vth为NMOS功率场效应管的栅源开启电压,包括振荡电路、充电二极管、第一充电电容、栅极电阻和所述功率场效应管,所述充电二极管正极连接所述功率场效应管漏极、充电二极管负极通过所述第一充电电容连接所述振荡电路的输出端,所述功率场效应管的栅极连接所述栅极电阻的第二端,栅极电阻的第一端连接所述第一二极管负极,所述振荡电路用于产生频率为f赫兹、负向占空比为y%的矩形波,所述第一电容的容量为C,所述栅极电阻的阻值为R,所述场效应管的栅源结电容Cgs与漏源结电容Cgd之和为Cg,且满足公式y<1~2100fRCg,以缺省元件实现原有功能,特别适合调节器。
主权项:1.一种利用栅极充放电与Vth差压的缺省型泵浦电路,所述栅极充放电为场效应管栅极的寄生电容和栅极外接电阻构成的阻容网络的充放电过程,所述场效应管的栅源开启电压参数为Vth,其特征在于,所述缺省型泵浦电路包括振荡电路、充电二极管、第一充电电容、栅极电阻和所述功率场效应管,所述充电二极管的正极连接所述功率场效应管的漏极、所述充电二极管的负极通过所述第一充电电容连接所述振荡电路的信号输出端,所述功率场效应管的栅极连接所述栅极电阻的第二端,所述栅极电阻的第一端连接所述第一二极管的负极,所述振荡电路用于产生频率为f赫兹、负向占空比为y%的矩形波输出,所述第一电容的容量为C,所述栅极电阻的阻值为R,所述功率场效应管为NMOS型场效应管,所述NMOS场效应管的栅源结电容Cgs与漏源结电容Cgd之和为Cg,且满足下式:y<1~2100fR·Cg。
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