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申请/专利权人：苏州镓和半导体有限公司;广州海创产业技术研究院
摘要：本实用新型提供了一种用于导模法生长氧化镓单晶的异形籽晶结构，其特征在于异形籽晶结构由三部分组成，包括籽晶头部、籽晶肩部和籽晶尾部，其中籽晶头部为条形，籽晶肩部为方形、圆弧形或三角形中的一种，籽晶尾部为方形或者齿形。本实用新型通过籽晶结构的创新，通过齿形和方形籽晶尾部促成导模法生长过程中的多点或宽面放肩，有效缩短放肩时间，降低放肩过程缺陷发生的概率，实现Ga2O3晶体质量的提高。
主权项：1.一种用于导模法生长氧化镓单晶的异形籽晶结构，其特征在于，异形籽晶结构由三部分组成，包括籽晶头部、籽晶肩部和籽晶尾部，其中籽晶头部为条形，籽晶肩部为方形、圆弧形或三角形中的一种，籽晶尾部为方形或者齿形。
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