买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:苏州镓和半导体有限公司;广州海创产业技术研究院
摘要:本实用新型提供了一种用于导模法生长氧化镓单晶的异形籽晶结构,其特征在于异形籽晶结构由三部分组成,包括籽晶头部、籽晶肩部和籽晶尾部,其中籽晶头部为条形,籽晶肩部为方形、圆弧形或三角形中的一种,籽晶尾部为方形或者齿形。本实用新型通过籽晶结构的创新,通过齿形和方形籽晶尾部促成导模法生长过程中的多点或宽面放肩,有效缩短放肩时间,降低放肩过程缺陷发生的概率,实现Ga2O3晶体质量的提高。
主权项:1.一种用于导模法生长氧化镓单晶的异形籽晶结构,其特征在于,异形籽晶结构由三部分组成,包括籽晶头部、籽晶肩部和籽晶尾部,其中籽晶头部为条形,籽晶肩部为方形、圆弧形或三角形中的一种,籽晶尾部为方形或者齿形。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 苏州镓和半导体有限公司 广州海创产业技术研究院 一种用于导模法生长氧化镓单晶的异形籽晶结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。