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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：公开了具有均匀的氧化物的基于纳米带的晶体管。本文中描述的是在半导体纳米带沟道周围具有非常均匀的氧化物层的基于纳米带的晶体管、以及用于生长氧化物层的高压蒸汽工艺。高压蒸汽工艺是一种自限性工艺，其产生比标准的沉积或注入方法更均匀的氧化物。均匀性使得能够更好地控制氧化物厚度，且改进击穿电压和驱动电流。
主权项：1.一种集成电路IC装置，包括：支撑结构；第一细长结构，所述第一细长结构位于所述支撑结构之上，所述第一细长结构在平行于所述支撑结构的第一方向上延伸；第二细长结构，所述第二细长结构位于所述支撑结构之上并且位于所述第一细长结构之上，所述第二细长结构在所述第一方向上延伸；第一氧化物层，所述第一氧化物层位于所述第一细长结构之上，所述第一氧化物层具有跨越所述第一细长结构的基本上均匀的第一厚度；以及第二氧化物层，所述第二氧化物层位于所述第二细长结构之上，所述第二氧化物层具有跨越所述第二细长结构的基本上均匀的第二厚度，其中，所述第一厚度处于所述第二厚度的1％以内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有均匀的氧化物的基于纳米带的晶体管
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