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申请/专利权人：兰州大学
摘要：本发明公开了一种金属氧化物基电容式离子二极管及其制备方法和应用，制备方法包括制备金属氧化物基工作电极和多孔碳基对电极，金属氧化物基工作电极使用具有插层赝电容行为的金属氧化物；配制电解液，电解液的阴阳离子中仅有一类离子可以在金属氧化物中进行存储；将金属氧化物基工作电极和多孔碳基对电极进行组装，并置于电解液中进行封装，得到金属氧化物基电容式离子二极管。本发明首次提出采用具有插层赝电容行为的金属氧化物材料作为电容式离子二极管的电极材料，并利用其对电解液中阴阳离子的选择性存储行为实现器件单向储能的特性，制备所得金属氧化物基电容式离子二极管具有整流比、质量比电容、体积比电容、单向储能密度均较高的优点。
主权项：1.一种金属氧化物基电容式离子二极管的制备方法，其特征在于，包括：制备金属氧化物基工作电极和多孔碳基对电极，所述金属氧化物基工作电极使用的金属氧化物为具有插层赝电容行为的金属氧化物；配制电解液，所述电解液的阴阳离子中仅有一类离子可以在所述金属氧化物中进行存储；所述电解液中的电解质为无机盐或者有机盐；将所述金属氧化物基工作电极和所述多孔碳基对电极进行组装，并置于所述电解液中，之后进行封装，得到金属氧化物基电容式离子二极管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 兰州大学 金属氧化物基电容式离子二极管及其制备方法和应用
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