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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
摘要：本发明公开了一种改善微透镜工艺中拉线异常的方法，包括以下步骤：步骤一：提供一完成微透镜工艺前的图像传感器芯片，所述芯片的表面上设有第一结构和第二结构，所述第一结构的高度高于所述第二结构的高度；步骤二：在所述芯片的表面上形成填充层，将所述第一结构和第二结构覆盖；步骤三：通过光刻及显影，去除位于所述第一结构表面上的所述填充层材料，在所述芯片的表面上形成新的平整表面；步骤四：在所述新的平整表面上依次覆盖平坦层和微透镜材料层；步骤五：进行所述微透镜材料层的光刻，形成具有一致光刻角度的微透镜。本发明能有效减少芯片表面的不均一性，显著降低拉线不良率，且实施简单。
主权项：1.一种改善微透镜工艺中拉线异常的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一完成微透镜工艺前的图像传感器芯片，所述芯片的表面上设有第一结构和第二结构，所述第一结构的高度高于所述第二结构的高度；步骤二：在所述芯片的表面上形成填充层，将所述第一结构和第二结构覆盖，并于所述第一结构的顶部表面形成具有凸起；步骤三：通过光刻及显影，去除位于所述第一结构顶部表面上的所述填充层材料，以去除所述凸起，在所述芯片的表面上形成由所述填充层表面和所述第一结构顶部表面所构成的新的平整表面；步骤四：在所述新的平整表面上依次覆盖平坦层和微透镜材料层；步骤五：进行所述微透镜材料层的光刻，形成具有一致光刻角度的微透镜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 成都微光集电科技有限公司 一种改善微透镜工艺中拉线异常的方法
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