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申请/专利权人：合肥领航微系统集成有限公司
摘要：本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及压电叠层结构及其制造方法，压电叠层结构包括衬底，还包括依次层叠设置于衬底正面的扰度限制层、压电层和结构层，压电层向衬底方向弯曲形变，结构层向压电层方向弯曲形变；方法包括步骤：在衬底层的正面生长扰度限制层；在扰度限制层的表面生长压电层，在应力作用下，压电层向衬底的方向弯曲，衬底的正面随之形变向背面弯曲；采用低温PECVD工艺在PZT上电极表面沉积结构层，结构层向压电层形变弯曲；以及将结构层和衬底进行图形化，形成所需压电叠层结构。本发明使生长于压电层表面的结构层向着压电层形变，叠层结构的初始扰度为负方向，有效工作区域的残余应力和振动应力相叠加，提升器件性能。
主权项：1.一种压电叠层结构，包括衬底3，所述衬底3具有相对的正面及背面，其特征在于：还包括依次层叠设置于所述衬底3正面的扰度限制层4、压电层1和结构层2，所述压电层1向所述衬底3方向弯曲形变，利用压电层1的残余应力带来的负扰度，使结构层2向压电层1方向弯曲形变，使压电叠层结构的初始扰度为负方向，使压电叠层结构中性面到压电层1有效工作区域的残余应力和振动应力相叠加。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥领航微系统集成有限公司 一种压电叠层结构及制造方法
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