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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
摘要：本公开提供了一种晶圆及其表面纳米形貌的预测方法、装置、设备及介质，属于半导体制造技术领域。该方法包括：在晶圆的加工过程中，利用阶跃式设计滤波器对获取的所述晶圆的表面形貌量测数据进行滤波以及数据处理，获得所述晶圆的量测纳米形貌值nt；基于预测函数，根据所述晶圆的量测纳米形貌值nt预测后序加工工序后所述晶圆的预测纳米形貌值NT。
主权项：1.一种晶圆表面纳米形貌的预测方法，其特征在于，所述方法包括：在晶圆的加工过程中，利用阶跃式设计滤波器对获取的所述晶圆的表面形貌量测数据进行滤波以及数据处理，获得所述晶圆的量测纳米形貌值nt；基于预测函数，根据所述晶圆的量测纳米形貌值nt预测后序加工工序后所述晶圆的预测纳米形貌值NT；其中，所述阶跃式设计滤波器尺寸根据目标波长范围、采样间距以及所述晶圆的表面形貌量测数据的采样点位置设计，相应地，所述方法包括：基于所述目标波长范围，利用双高斯低通滤波函数确定滤波器；根据所述目标波长范围的波长上限确定所述滤波器临界尺寸；根据采样点位置进行边缘收缩处理；当所述采样点位置与所述晶圆表面圆心之间的距离小于或等于所述临界尺寸时，确定所述阶跃式设计滤波器的半径为第一半径；当所述采样点位置与所述晶圆表面圆心之间的距离大于所述临界尺寸时，确定所述阶跃式设计滤波器的半径为第二半径；其中，所述第一半径大于所述第二半径。
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权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 晶圆及其表面纳米形貌的预测方法、装置、设备及介质
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