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申请/专利权人：福建理工大学;中国科学院兰州化学物理研究所
摘要：本发明公开了一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法，属于无机非金属材料技术领域。本发明提供的Misfit高熵层状结构化合物的化学式如式I、式II或式III所示：[MX]1+δ[HEMTX2]n式I；[HEMMX]1+δ[TX2]n式II；[HEMMX]1+δ[HEMTX2]n式III；其中，HEMM选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的四种或四种以上；HEMT选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的四种或四种以上；X选自S、Se或Te中的一种或多种；δ＝0.08～0.28；n＝1、2或3。本发明上述化合物具有层状错配结构以及高熵结构的特性，所得到的化合物烧结成块体后展现出一定的热电性能，在低热导、热电材料等应用领域具有较大潜力。同时，制备方法简易，反应周期短，成本低，可以获得高纯度的产物。
主权项：1.一系列Misfit高熵层状结构化合物，其特征在于，所述Misfit高熵层状结构化合物的化学式如式I、式II或式III所示：[MX]1+δ[HEMTX2]n式I；[HEMMX]1+δ[TX2]n式II；[HEMMX]1+δ[HEMTX2]n式III；其中，M选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的一种；HEMM选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的四种或四种以上；HEMT选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的四种或四种以上；T选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的一种；X选自S、Se或Te中的一种或多种；δ＝0.08～0.28；n＝1、2或3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建理工大学 中国科学院兰州化学物理研究所 一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法
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