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申请/专利权人:福建理工大学;中国科学院兰州化学物理研究所
摘要:本发明公开了一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法,属于无机非金属材料技术领域。本发明提供的Misfit高熵层状结构化合物的化学式如式I、式II或式III所示:[MX]1+δ[HEMTX2]n式I;[HEMMX]1+δ[TX2]n式II;[HEMMX]1+δ[HEMTX2]n式III;其中,HEMM选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的四种或四种以上;HEMT选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的四种或四种以上;X选自S、Se或Te中的一种或多种;δ=0.08~0.28;n=1、2或3。本发明上述化合物具有层状错配结构以及高熵结构的特性,所得到的化合物烧结成块体后展现出一定的热电性能,在低热导、热电材料等应用领域具有较大潜力。同时,制备方法简易,反应周期短,成本低,可以获得高纯度的产物。
主权项:1.一系列Misfit高熵层状结构化合物,其特征在于,所述Misfit高熵层状结构化合物的化学式如式I、式II或式III所示:[MX]1+δ[HEMTX2]n式I;[HEMMX]1+δ[TX2]n式II;[HEMMX]1+δ[HEMTX2]n式III;其中,M选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的一种;HEMM选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的四种或四种以上;HEMT选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的四种或四种以上;T选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的一种;X选自S、Se或Te中的一种或多种;δ=0.08~0.28;n=1、2或3。
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百度查询: 福建理工大学 中国科学院兰州化学物理研究所 一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法
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