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一种掺杂型高熵合金薄膜的制备技术及其应用 

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申请/专利权人:广东省科学院中乌焊接研究所

摘要:本发明公开了一种掺杂型高熵合金薄膜的制备技术及其应用,涉及电化学技术领域。掺杂型高熵合金薄膜的制备技术包括如下步骤:采用磁控溅射技术在基材上制备掺杂型高熵合金薄膜,掺杂元素为非金属元素;溅射高熵合金的靶材采用直流电源;溅射固态非金属的靶材采用射频电源,并将固态非金属靶材与高熵合金靶材进行共溅射;溅射气态非金属时,将气态非金属加入溅射气体中形成混合气进行溅射。该技术具有效率高、过程绿色环保无污染、薄膜与基材附着良好、操作简单且过程便于控制,制备的非金属掺杂型高熵合金薄膜元素分布均匀,非金属掺杂型高熵合金薄膜电极材料可广泛应用在电化学领域。

主权项:1.一种掺杂型高熵合金薄膜制备技术,其特征在于,其包括如下制备步骤:采用磁控溅射技术在基材上制备掺杂型高熵合金薄膜,掺杂元素为非金属元素;所述非金属元素选自固态非金属和气态非金属中的至少一种;溅射所述高熵合金的靶材采用直流电源;溅射所述固态非金属的靶材采用射频电源,并将所述固态非金属的靶材与所述高熵合金的靶材进行共溅射;溅射所述气态非金属时,将所述气态非金属加入溅射气体中形成混合气进行溅射;按体积分数计,所述气态非金属的用量为所述溅射气体的用量的0-30%。

全文数据:

权利要求:

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