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一种高密度垂直探针卡探针及其加工方法 

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申请/专利权人:强一半导体(上海)有限公司

摘要:本发明属于微电子工程技术领域,具体涉及MEMS制造过程中的一种高密度垂直探针卡探针及其加工方法。所述探针包括针体、从针体一端延伸出的针尾和从针体另一端延伸出的针尖,所述针体外表面为绝缘层,所述针尾外表面为Au镀层,所述针尖外表面为Pd‑Ni合金层。本发明提供的技术方案针尾镀金,有利于增加针卡的信号传输,减少故障率;电镀Pd‑Ni层作为阻挡层,减少探针中的铜扩散到探针表面,影响针尾镀金处的探针接触;针臂的绝缘层可大幅减少pitch距离在80μm区域的探针出现短路的现象;针尖处裸露Pd‑Ni合金层,可防止探针的Cu元素扩散至探针表面从而出现氧化等问题。

主权项:1.一种高密度垂直探针卡探针,其特征在于,包括针体、从针体一端延伸出的针尾和从针体另一端延伸出的针尖,所述针体外表面为绝缘层,所述针尾外表面为Au镀层,所述针尖外表面为Pd-Ni合金层。

全文数据:

权利要求:

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