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申请/专利权人：浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
摘要：本发明公开了一种CVD反应器的温度控制方法和系统，该CVD反应器的温度控制方法包括获取CVD反应器内各基片的当前顶部温度、预设顶部平均温度、基片载台的当前底部平均温度和CVD反应器的基片容纳数量，以及与各基片对应的各传热气体的当前组分系数；根据各当前顶部温度、预设顶部平均温度、当前底部平均温度和CVD反应器的基片容纳数量，确定基片载台的底部加热温度，并控制CVD反应器以底部加热温度对基片载台进行加热；根据各基片的预设顶部平均温度、当前顶部温度、CVD反应器的基片容纳数量、当前底部平均温度和各当前组分系数，确定各基片对应的各传热气体的调整组分系数，并控制CVD反应器以调整组分系数调整各传热气体的组分系数。
主权项：1.一种CVD反应器的温度控制方法，其特征在于，包括：获取所述CVD反应器内各基片的当前顶部温度、预设顶部平均温度、基片载台的当前底部平均温度和所述CVD反应器的基片容纳数量，以及与各所述基片对应的各传热气体的当前组分系数；根据各所述当前顶部温度、所述预设顶部平均温度、所述当前底部平均温度和所述CVD反应器的基片容纳数量，确定所述基片载台的底部加热温度，并控制所述CVD反应器以所述底部加热温度对所述基片载台进行加热；根据各所述基片的所述预设顶部平均温度、所述当前顶部温度、所述CVD反应器的基片容纳数量、所述当前底部平均温度和各所述当前组分系数，确定各所述基片对应的各所述传热气体的调整组分系数，并控制所述CVD反应器以所述调整组分系数调整各所述传热气体的组分系数。
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权利要求：
百度查询： 浙江求是半导体设备有限公司 浙江晶盛机电股份有限公司 一种CVD反应器的温度控制方法和系统
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