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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种局部工艺热点的修正方法及系统，属于半导体光刻技术领域，该局部工艺热点的修正方法，包括工艺热点在版图的当前层中：待修正的目标图形周围布置有环境图形，环境图形背离目标图形的一侧若存在OPC修正裕量，则移动部分的环境图形，若不存在则修改环境图形的形状，以增大环境图形与目标图形之间的间距；工艺热点在版图的金属层之间：修改至少一金属层的位置和或尺寸；在消除工艺热点后，对全局版图进行OPC修正。通过考虑OPC修正裕量，来移动环境图形或者修改环境图形来扩大修正面积方法，协同局部版图对金属层间的工艺热点进行修正，显著消除不易处理的工艺热点，扩大光刻工艺窗口，提升OPC的修正效果。
主权项：1.一种局部工艺热点的修正方法，其特征在于，包括：提供含有工艺热点的局部版图；所述工艺热点在版图的当前层中：待修正的目标图形周围布置有环境图形，所述环境图形背离所述目标图形的一侧若存在OPC修正裕量，则移动部分的所述环境图形，若不存在则修改所述环境图形的形状，以增大所述环境图形与所述目标图形之间的间距，消除工艺热点；所述工艺热点在版图的金属层之间：修改至少一金属层的位置和或尺寸，以消除工艺热点；在消除工艺热点后，对全局版图进行OPC修正。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 局部工艺热点的修正方法及系统
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