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申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司
摘要:本发明公开了一种局部工艺热点的修正方法及系统,属于半导体光刻技术领域,该局部工艺热点的修正方法,包括工艺热点在版图的当前层中:待修正的目标图形周围布置有环境图形,环境图形背离目标图形的一侧若存在OPC修正裕量,则移动部分的环境图形,若不存在则修改环境图形的形状,以增大环境图形与目标图形之间的间距;工艺热点在版图的金属层之间:修改至少一金属层的位置和或尺寸;在消除工艺热点后,对全局版图进行OPC修正。通过考虑OPC修正裕量,来移动环境图形或者修改环境图形来扩大修正面积方法,协同局部版图对金属层间的工艺热点进行修正,显著消除不易处理的工艺热点,扩大光刻工艺窗口,提升OPC的修正效果。
主权项:1.一种局部工艺热点的修正方法,其特征在于,包括:提供含有工艺热点的局部版图;所述工艺热点在版图的当前层中:待修正的目标图形周围布置有环境图形,所述环境图形背离所述目标图形的一侧若存在OPC修正裕量,则移动部分的所述环境图形,若不存在则修改所述环境图形的形状,以增大所述环境图形与所述目标图形之间的间距,消除工艺热点;所述工艺热点在版图的金属层之间:修改至少一金属层的位置和或尺寸,以消除工艺热点;在消除工艺热点后,对全局版图进行OPC修正。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海华力集成电路制造有限公司 局部工艺热点的修正方法及系统
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