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共真空单周期磁耦合加速结构和粒子加速装置 

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申请/专利权人:中国科学院近代物理研究所

摘要:本发明涉及粒子直线加速技术领域,提供一种共真空单周期磁耦合加速结构和加速装置,共真空单周期磁耦合加速结构位于真空腔室内,共真空单周期磁耦合加速结构包括第一端盖、第二端盖、功率耦合组件和加速件,第一端盖和第二端盖上设置有同轴的第一束流孔和第二束流孔,第一端盖与第二端盖之间形成的区域适于通过功率耦合组件与真空腔室连通;加速件可拆卸地设于第一端盖与功率耦合组件之间和第二端盖与功率耦合组件之间中的至少一者,加速件包括第一盘片和第一外环,第一盘片设有与第一束流孔同轴的第三束流孔。本发明提供的共真空单周期磁耦合加速结构,采用“真空分离”技术,可以直接修正加速结构的频率和轴向电场,不需要设置调谐器。

主权项:1.一种共真空单周期磁耦合加速结构,其特征在于,所述共真空单周期磁耦合加速结构(10)位于真空腔室(20)内,所述共真空单周期磁耦合加速结构(10)包括:第一端盖(100),具有第一束流孔(110);第二端盖(200),与所述第一端盖(100)相对设置,所述第二端盖(200)具有与所述第一束流孔(110)同轴的第二束流孔(220);功率耦合组件(300),一侧与所述第一端盖(100)可拆卸连接,另一侧与所述第二端盖(200)可拆卸连接,所述第一端盖(100)与所述第二端盖(200)之间形成的区域适于通过所述功率耦合组件(300)与所述真空腔室(20)连通;加速件(400),可拆卸地设于所述第一端盖(100)与所述功率耦合组件(300)之间和所述第二端盖(200)与所述功率耦合组件(300)之间中的至少一者,所述加速件(400)包括第一盘片(410)和第一外环(420),所述第一外环(420)套设于所述第一盘片(410),所述第一外环(420)凸出于所述第一盘片(410)朝向所述第一端盖(100)的一面,所述第一盘片设有与所述第一束流孔(110)同轴的第三束流孔(440)。

全文数据:

权利要求:

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