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申请/专利权人：环晟光伏(江苏)有限公司
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池掩膜层的制备方法及其应用，涉及太阳能电池的技术领域，该掩膜层的制备方法包括以下步骤：采用O2和N2通过热氧化法在电池片上制备SiO2掩膜层；其中，热氧化法的温度为800℃‑1000℃。本发明解决了现有技术中采用PECVD法制备SiO2掩膜层时，SiO2掩膜层存在致密性差和耐腐蚀性差的技术问题，达到了显著提升SiO2掩膜层的致密性和耐腐蚀性、提高Poly层的保护效果，以及有效改善电池片的钝化性能和漏电比例的技术效果。
主权项：1.一种TOPCon电池掩膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用O2和N2通过热氧化法在电池片上制备SiO2掩膜层；所述热氧化法的温度为800℃-1000℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环晟光伏(江苏)有限公司 TOPCon电池掩膜层的制备方法及其应用
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