买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司

摘要：本发明提供一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法，通过MOCVD法形成锥形氮化镓层凸起及氮化镓层，锥形氮化镓层凸起的掺杂浓度大于氮化镓层，且锥形氮化镓层凸起与氮化镓层形成缺陷合拢区，使得缺陷集中化；在采用腐蚀液剥离生长衬底的过程中可在缺陷合拢区形成凹槽，通过绝缘层的填充形成缺陷隔离结构，使得缺陷钝化，且缺陷合拢区在垂向上的投影完全位于缺陷隔离结构内，从而在垂向上通过缺陷隔离结构切断载流子的传输路径；进一步的，锥形氮化镓层凸起可将载流子聚集到锥顶进行传输，使得电流导流，且可避开载流子从边缘缺陷合拢区通过；本发明可获得高耐压及具有良好防漏电特性的氮化镓肖特基二极管，从而可提高器件性能。

主权项：1.一种氮化镓肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供复合图形衬底，所述复合图形衬底包括生长衬底、介质层凸起及缓冲层，相邻的所述介质层凸起之间具有间隙槽，且所述间隙槽的宽度包括0.5μm~2μm，所述间隙槽的深度范围包括0.5μm~1μm；采用MOCVD法，在所述复合图形衬底上形成锥形氮化镓层凸起，且所述锥形氮化镓层凸起的锥顶远离所述复合图形衬底；采用MOCVD法，在所述锥形氮化镓层凸起上形成氮化镓层，所述锥形氮化镓层凸起的掺杂浓度大于所述氮化镓层，且所述锥形氮化镓层凸起与所述氮化镓层形成有缺陷合拢区，所述氮化镓层的生长同样采用MOCVD法，以自所述锥形氮化镓层凸起的表面向外侧外延生长，形成具有锥形形貌的所述氮化镓层，且在外延生长所述氮化镓层时，所述氮化镓层也同样在相邻的所述氮化镓层之间形成缺陷聚集区；采用第一腐蚀液去除所述介质层凸起，以形成空洞；采用第二腐蚀液去除所述缓冲层，以剥离所述生长衬底，且通过所述第二腐蚀液在所述缺陷合拢区形成凹槽；沉积绝缘层填充所述凹槽，以形成缺陷隔离结构，且所述缺陷合拢区在垂向上的投影完全位于所述缺陷隔离结构内；进行平坦化，以显露所述氮化镓层凸起及缺陷隔离结构；其中，在形成所述空洞前还包括在远离所述复合图形衬底的所述氮化镓层的表面形成临时支撑衬底的步骤，以及在显露的所述锥形氮化镓层凸起表面形成金属衬底，而后去除所述临时支撑衬底，并分别形成与所述氮化镓层相接触的肖特基阳极金属层及与所述金属衬底相接触的阴极金属层的步骤；或在形成所述空洞前还包括在远离所述复合图形衬底的所述氮化镓层的表面依次分别形成与所述氮化镓层相接触的肖特基阳极金属层及与所述肖特基阳极金属层相接触的金属衬底的步骤，以及在显露的所述锥形氮化镓层凸起表面形成阴极金属层的步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海芯元基半导体科技有限公司 氮化镓肖特基二极管及其制备方法