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申请/专利权人:深圳市中兴微电子技术有限公司
摘要:本公开提供一种芯片衬底的制备方法,包括:提供散热基板和芯片基板,所述散热基板的主体材料为多晶金刚石;分别对所述散热基板的待键合表面、以及所述芯片基板的待键合表面进行氧等离子体活化处理;在预定湿度下对氧等离子体活化处理后的散热基板、以及氧等离子体活化处理后的芯片基板的待键合表面进行冷却处理;将冷却处理后的散热基板的待键合表面和冷却处理后的芯片基板的待键合表面相对并进行键合处理;对键合处理后的散热基板和芯片基板进行脱水处理,获得所述芯片衬底。本公开还提供一种芯片衬底。
主权项:1.一种芯片衬底的制备方法,包括:提供散热基板和芯片基板,所述散热基板的主体材料为多晶金刚石;分别对所述散热基板的待键合表面、以及所述芯片基板的待键合表面进行氧等离子体活化处理;在预定湿度下对氧等离子体活化处理后的散热基板、以及氧等离子体活化处理后的芯片基板的待键合表面进行冷却处理;将冷却处理后的散热基板的待键合表面和冷却处理后的芯片基板的待键合表面相对并进行键合处理;对键合处理后的散热基板和芯片基板进行脱水处理,获得所述芯片衬底。
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权利要求:
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