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申请/专利权人：深圳市友邦怡电气技术有限公司
摘要：本发明涉及无功补偿技术领域，提供了一种双控无涌流峰值过零高速投切可控硅开关的实现方法，包括步骤：S1.检测可控硅两端电压，当两端电压为零时，控制主板给触发信号让双向可控硅过零单边导通，使电容器充电到峰值；S2.当控制主板接收外部投入命令后，检测可控硅两端电压，当两端电压接近零时，控制主板给触发信号让可控硅过零全导通，电容器投入工作；S3.当控制主板接收外部切除命令后，控制主板停止触发信号，让可控硅单边电流过零时关断，电容器切除，并保持单边充电在电容器峰值电压附近，等待下一次投切信号以实现高速无涌流投切。
主权项：1.一种双控无涌流峰值过零高速投切可控硅开关的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.所述可控硅开关由两个双向可控硅、散热器、控制主板及外壳构成；两个双向可控硅串联接入电网三相中的两相，下面连接三相电容器，当三相电源主回路合闸后，控制主板检测可控硅两端电压，当两端电压为零时，控制主板对双向可控硅的其中充电控制极发出触发脉冲信号，让可控硅单边导通，对电容器充电到峰值电压；S2.当电容器充电达到峰值电压后，可控硅开关处在待机状态，并保持在峰值电压附近，当控制主板接收外部投入命令后，检测可控硅两端电压，当两端电压差值接近零时，此时电压在峰值，控制主板对双向可控硅的投切控制极发出触发脉冲信号，让可控硅过零全导通，电容器投入工作；S3.当控制主板接收外部切除命令后，控制主板停止投切控制极的触发脉冲信号，让可控硅单边电流过零时关断，电容器切除，并保持单边充电在电容器峰值电压附近，等待下一次投切信号以实现高速无涌流峰值过零投切电容器；以上方法实现了可控硅开关合闸无涌流，峰值电压过零点，高速重复投切电容器的功能。
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