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申请/专利权人：美芯晟科技(北京)股份有限公司
摘要：本申请提供一种功率管及抗浪涌电路，涉及器件保护技术领域。功率管包括：多晶材料层和衬底有源区域；在预设方向上，多晶材料层设置在衬底有源区域的顶端；多晶材料层与衬底有源区域连接，以将功率管的衬底金属线与衬底有源区域并联接地，形成第一电阻和第二电阻并联组成的寄生电阻。抗浪涌电路包括：功率管、基于功率管形成的寄生管和寄生电阻；其中，基于寄生管和寄生电阻形成泄放浪涌的浪涌通路；寄生管的基极和寄生电阻的第一端与功率管的衬底连接；寄生电阻的第二端接地；寄生电阻用于为寄生管提供基极低电位，寄生管用于基于基极低电位截止导通，以断开浪涌通路。通过对功率管的结构进行修改，能够有效地减小产生的寄生电阻的阻值。
主权项：1.一种功率管，其特征在于，所述功率管包括：多晶材料层和衬底有源区域；在预设方向上，所述多晶材料层设置在所述衬底有源区域的顶端；所述多晶材料层与所述衬底有源区域连接，以将所述功率管的衬底金属线与所述衬底有源区域并联接地，形成第一电阻和第二电阻并联组成的寄生电阻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美芯晟科技(北京)股份有限公司 功率管及抗浪涌电路
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