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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：器件包括：传感器管芯，具有位于传感器管芯的顶面处的感测区域；密封剂，至少横向密封传感器管芯；导电通孔，穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于密封剂上和位于传感器管芯顶面上，其中，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，其中，前侧再分布结构中的开口暴露传感器管芯的感测区域，并且其中，前侧再分布结构包括：第一介电层，在密封剂和传感器管芯的顶面上方延伸；金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，在金属化图案和第一介电层上方延伸。申请的实施例还涉及传感器器件、传感器封装件及其形成方法。
主权项：1.一种传感器器件，包括：传感器管芯，具有位于所述传感器管芯的顶面处的感测区域；密封剂，至少横向密封所述传感器管芯，其中，所述密封剂物理接触所述传感器管芯的侧壁表面；导电通孔，延伸穿过所述密封剂；以及前侧再分布结构，位于所述密封剂上和所述传感器管芯的顶面上，其中，所述前侧再分布结构连接至所述导电通孔和所述传感器管芯，其中，位于所述前侧再分布结构中的开口暴露所述传感器管芯的感测区域，并且其中，所述前侧再分布结构包括：在所述密封剂和所述传感器管芯的顶面上方延伸的第一介电层，其中，所述第一介电层的侧壁形成所述开口的侧壁，位于所述第一介电层上的金属化图案，以及在所述金属化图案和所述第一介电层上方延伸的第二介电层，其中，所述第一介电层的邻近所述第一介电层的侧壁的顶面从所述第二介电层暴露。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 传感器器件、传感器封装件及其形成方法
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