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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要：本发明公开了一种SiSiGe纳米线阵列的制造方法，包括：在Si衬底上依次外延N型Si次集电极，选区外延N型Si集电极；干法刻蚀N‑Si集电极纳米阵列；淀积P+SiGe层形成SiSiGe基区纳米阵列；选择性外延多晶N+Si发射极薄膜；刻蚀电极接触孔制造金属电极。本发明的纳米线阵列的自由侧壁使晶格应变弛豫仅在纳米尺度上进行，不产生失配位错等非辐射复合中心；纳米线结构应力可更有效地进行张应变调制，提高SiGe材料的直接带隙特性；高的比表面积和强量子限制效应增强了器件的光吸收效率；纳米线阵列可有效避免侧壁损伤，进一步增强了材料的光吸收效率；整体HPT器件结构的SiGe基区厚度极薄，基区渡越时间降低、频率特性高，可同时兼顾器件的高光吸收效率和高频率特性。
主权项：1.一种SiSiGe纳米线阵列的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底101；在所述衬底101上依次形成N型Si次集电极层102和N型Si集电极层103；通过刻蚀所述N型Si集电极层103在所述N型Si集电极层103上形成Si纳米线阵列103-2；在Si纳米线阵列103-2上淀积P+型SiGe薄膜，形成SiSiGe纳米线阵列的基区感光层104；在所述基区感光层104上通过选区外延形成发射极层105；在所述发射极层105上设置第一电极106，并使第一电极106与发射极层105形成欧姆接触；在所述基区感光层104上设置第二电极107，并使第二电极107与基区感光层104形成欧姆接触；在所述N型Si次集电极层102上设置第三电极108，并使第三电极108与N型Si次集电极层102形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种Si/SiGe纳米线阵列的制造方法及Si/SiGe纳米线阵列
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