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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明提供一种基于析出‑氧化原理制备金属氧化物单晶的方法，包括以下步骤：在氩气、氢气的常压气氛条件下，将合金金属升温至退火温度，退火温度为合金金属的熔点温度减去20至50℃；气氛条件维持与升温过程一致，将合金金属保温处理2‑12小时，在合金金属表面发生单晶二维金属氧化物生长；气氛条件维持与保温过程一致，将合金金属进行降温处理，得到单晶二维金属氧化物。采用本发明方法制备的单晶晶格结构稳定，整个制备流程采用的设备简单，能耗与生产时间远低于现有技术，可显著降低生产成本。能够适用于多种不同的金属氧化物材料，并且可对生长的氧化物尺寸进行有效控制。
主权项：1.一种基于析出-氧化原理制备金属氧化物单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：在氩气、氢气的常压气氛条件下，将合金金属升温至退火温度；所述退火温度为合金金属的熔点温度减去20至50℃；气氛条件维持与升温过程一致，将合金金属保温处理2-12小时，在合金金属表面发生单晶二维金属氧化物生长；气氛条件维持与保温过程一致，将合金金属进行降温处理，得到单晶二维金属氧化物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 基于析出-氧化原理制备金属氧化物单晶的方法
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