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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件，所述制备工艺包括如下步骤：提供一碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底的一表面形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和部分厚度的所述碳化硅衬底形成沟槽；通过离子注入工艺在所述沟槽的底部形成非晶化碳化硅层；去除所述硬掩膜层；采用热氧化工艺在所述沟槽的底部及所述沟槽的侧壁形成栅氧化层。本发明的碳化硅沟槽制备工艺中采用离子注入工艺非晶化沟槽的底部的碳化硅，从而提高沟槽的底部的碳化硅的氧化速率，缩小沟槽的底部形成的栅氧化层与沟槽的侧壁形成的栅氧化层的厚度差异，极大地提高了整个栅氧化层的均匀性，减小了沟槽型器件的漏电流，从而提高器件的抗压性能及可靠性。
主权项：1.一种碳化硅沟槽制备工艺，其特征在于，所述碳化硅沟槽制备工艺包括如下步骤：提供一碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底的一表面形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层和部分厚度的所述碳化硅衬底形成沟槽；通过离子注入工艺在所述沟槽的底部形成非晶化碳化硅层；去除所述硬掩膜层；采用热氧化工艺在所述沟槽的底部及所述沟槽的侧壁形成栅氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件
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