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申请/专利权人：上海狮门半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种IGBT模块弹坑实验方法，涉及半导体检测技术领域。该方法包括：提供一待实验的IGBT模块样品；其中，IGBT模块样品包括IGBT芯片和续流二极管芯片，IGBT芯片和续流二极管芯片上均设有键合铝线；对IGBT模块样品进行加热；使用滴管将碱性溶液持续滴在待实验的IGBT芯片和续流二极管芯片上，直至键合铝线被完全腐蚀；对IGBT芯片和续流二极管芯片进行清洗；在显微镜下观察IGBT芯片和续流二极管芯片。通过滴管滴取碱性溶液，可针对性地去除待实验的IGBT芯片和续流二极管芯片表面的键合铝线，不仅缩短了弹坑实验的时间，还节省了碱性溶液的用量，降低了实验成本。通过对IGBT模块样品加热，提高了芯片表面的键合铝线与碱性溶液的反应速率，提高了弹坑实验效率。
主权项：1.一种IGBT模块弹坑实验方法，其特征在于，所述IGBT模块弹坑实验方法包括以下步骤：提供一待实验的IGBT模块样品；其中，所述IGBT模块样品包括IGBT芯片和续流二极管芯片，所述IGBT芯片和所述续流二极管芯片上均设有键合铝线；对所述IGBT模块样品进行加热；使用滴管将碱性溶液持续滴在待实验的所述IGBT芯片和所述续流二极管芯片上，直至所述键合铝线被完全腐蚀；对待实验的所述IGBT芯片和所述续流二极管芯片进行清洗；在显微镜下观察清洗后的所述IGBT芯片和所述续流二极管芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海狮门半导体有限公司 一种IGBT模块弹坑实验方法
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