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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请属于IGBT结温监测领域，具体公开了压接IGBT的在线监测和驱动电路、结温计算方法和系统。通过本申请，可以在PPIGBT的一个开关周期100μs内，不影响功率变换器正常运行情况下准确在线监测虚拟阈值电压；不需打开IGBT封装，直接把监测电路连接在器件端口处，实现非侵入性监测。将虚拟阈值电压作为一种新的温度敏感电参数TSEP，通过准确在线监测虚拟阈值电压，再根据虚拟阈值电压和结温之间的线性关系，在线计算结温。实现以下技术效果：1响应时间短：在一个开关周期100μs内；2与传统的方法相比，监测电路元件数目少；3适用于任意压力情况，只需标定该压力下的结温‑虚拟阈值电压的拟合关系式。
主权项：1.一种压接IGBT虚拟阈值电压在线监测电路，其特征在于，包括：电流源、两个二极管和三个MOSFET；其中，所述电流源的输出端、第一MOSFET的漏极和第二MOSFET的漏极三者短接；第一MOSFET的源极接地，第二MOSFET的源极、第一二极管的阳极和第二二极管的阳极三者短接；第一二极管的阴极，用于和被测压接IGBT的集电极连接，所述被测压接IGBT的发射极接地；第二二极管的阴极和第三MOSFET的源极连接，用于和被测压接IGBT的栅极连接；第三MOSFET漏极，用于和外部栅极驱动电路的输出端口连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 压接IGBT的在线监测和驱动电路、结温计算方法和系统
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