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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种基环组件及基片处理设备，所述基环组件包括：环形主体，其内侧壁围绕基片处理设备的反应腔；环形主体的侧壁上设置有：气体入口和气体出口；其中气体入口与气体出口相对设置；上流体沟槽，上流体沟槽由环形主体的顶表面向下凹陷形成；下流体沟槽，下流体沟槽由环形主体的底表面向上凹陷形成；环形上盖板，其覆盖在上流体沟槽上，环形上盖板设有上环形气体通路；环形下盖板，其覆盖在下流体沟槽上，环形下盖板设有下环形气体通路；上环形气体通路和下环形气体通路通过位于环形主体内的气体支路与外部的气体调节装置连接。本发明通过对基环组件附近的气体进行调节，以提高外延基片或外延薄膜的良率。
主权项：1.一种基环组件，其应用于基片处理设备中，其特征在于，包括：环形主体，其内侧壁围绕所述基片处理设备的反应腔；所述环形主体的侧壁上设置有：气体入口和气体出口，其中所述气体入口与所述气体出口相对设置；上流体沟槽，所述上流体沟槽由所述环形主体的顶表面向下凹陷形成；下流体沟槽，所述下流体沟槽由所述环形主体的底表面向上凹陷形成；环形上盖板，其覆盖在所述上流体沟槽上，所述环形上盖板设有上环形气体通路；环形下盖板，其覆盖在所述下流体沟槽上，所述环形下盖板设有下环形气体通路；所述上环形气体通路和所述下环形气体通路通过位于所述环形主体内的气体支路与外部的气体调节装置连接，所述气体调节装置用于调节所述环形上盖板的顶表面和或所述环形下盖板的底表面所承受的气压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 基环组件及基片处理设备
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