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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请提供了一种3D堆叠的NAND存储器及其制造方法、电子设备。该3D堆叠的NAND存储器包括多层沿着垂直于衬底的方向堆叠的存储单元，沿着垂直于所述衬底的方向延伸的贯穿各层所述存储单元的字线；沿着垂直于所述字线并沿着第一方向延伸的位线；其中各存储单元的晶体管包括沿着第二方向延伸的沟道层，各存储单元的晶体管的第一源漏极与第二源漏极在第二方向上位于所述沟道层的两侧且与所述沟道层相连，所述第二方向与所述第一方向交叉且垂直于所述字线；其中所述沟道层由单晶硅纳米线或纳米片制成且被栅极环绕，所述栅极是所述字线的一部分；其中在所述字线的延伸方向上，所述沟道层间隔设置。本申请的器件架构能够有效提高存储密度。
主权项：1.一种3D堆叠的NAND存储器，其特征在于，包括多层沿着垂直于衬底的方向堆叠的存储单元，沿着垂直于所述衬底的方向延伸的贯穿各层所述存储单元的字线；沿着垂直于所述字线并沿着第一方向延伸的位线；其中各存储单元的晶体管包括沿着第二方向延伸的沟道层，各存储单元的晶体管的第一源漏极与第二源漏极在第二方向上位于所述沟道层的两侧且与所述沟道层相连，所述第二方向与所述第一方向交叉且垂直于所述字线；其中所述沟道层由单晶硅纳米线或纳米片制成且被栅极环绕，所述栅极是所述字线的一部分；其中在所述字线的延伸方向上，所述沟道层间隔设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 3D堆叠的NAND存储器及其制造方法、电子设备
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