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申请/专利权人：江苏扬贺扬微电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种NAND闪存的结构改进方法，该方法包括以下步骤：调整NAND闪存内页缓冲器和缓存缓冲器的布局结构，将页缓冲器和缓存缓冲器分开堆叠；调整NAND闪存内缓存缓冲器和输入输出多路复用器IOMUX的连接方式；调整NAND闪存内页缓冲器和缓存缓冲器之间的连接方式；调整页缓冲器和缓存缓冲器对控制信号的处理方式；本发明将原本是同时成对堆叠配置的页缓冲器和缓存缓冲器，优化为页缓冲器和缓存缓冲器分开堆叠，减少NAND闪存内因信号干扰的耦合效应，提高抗噪声能力的效果；并且提高了数据传输速度，实现回拷编程或内部数据移动的功能，同时还解决了NAND闪存运行时瞬时峰值电流过高的问题。
主权项：1.一种NAND闪存的结构改进方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤S1、调整NAND闪存内页缓冲器和缓存缓冲器的布局结构，将页缓冲器和缓存缓冲器分开堆叠；步骤S2、调整NAND闪存内缓存缓冲器和输入输出多路复用器IOMUX的连接方式，在输入输出多路复用器IOMUX上增加DATAb信号端，使输入输出多路复用器IOMUX通过DATA信号端和DATAb信号端连接缓存缓冲器，进行信号数据传输；步骤S3、调整NAND闪存内页缓冲器和缓存缓冲器之间的连接方式，在页缓冲器和缓存缓冲器之间增加CB晶体管和CBB晶体管，通过CB晶体管和CBB晶体管对页缓冲器和缓存缓冲器进行连接；步骤S4、调整页缓冲器和缓存缓冲器对控制信号的处理方式，当页缓冲器和缓存缓冲器接收到控制信号时，对输入的控制信号进行分批次处理，将分开堆叠的页缓冲器和缓存缓冲器按照时间差读取控制信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏扬贺扬微电子科技有限公司 一种NAND闪存的结构改进方法
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