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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种存储器元件，该存储器元件包括一基板、一叠层结构、多个通道结构、多个存储层以及多个浅隔离结构。基板具有一上表面。叠层结构位于基板的上表面上，其中叠层结构包括交替堆叠于上表面上的多个绝缘层及多个导电层。通道结构穿过部分的叠层结构并电性连接于基板。各个存储层环绕所对应的各个通道结构。浅隔离结构由叠层结构的一顶面朝向基板的方向延伸，其中各个浅隔离结构包括一物质，此物质的介电常数小于3.9。
主权项：1.一种存储器元件，其特征在于，包括：一基板110，具有一上表面110a；一叠层结构S1，位于该基板的该上表面上，其中该叠层结构包括交替堆叠于该上表面上的多个绝缘层IL1及多个导电层CL1；多个通道结构112，穿过部分的该叠层结构并电性连接于该基板；多个存储层114，这些存储层环绕所对应的这些通道结构；以及多个浅隔离结构124，由该叠层结构的一顶面S1a朝向该基板的方向延伸，其中各该浅隔离结构包括一物质，该物质的介电常数小于3.9；其中，各该浅隔离结构穿过位于该叠层结构的上部的3个或大于3个的这些导电层，将该叠层结构的该上部的3个或大于3个的这些导电层分隔成两个电性独立的串行选择线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 旺宏电子股份有限公司 存储器元件
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