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申请/专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
摘要：本发明涉及软件设计技术领域，提供了一种NandFlash参数数据的校验方法和装置。本发明提出一种NandFlash参数数据的校验方法，使用本方法后，可以快速准确的校验NandFlash参数数据是否获取正确，从而为后面的固件和数据校验提供基础。常见的情况是，参数数据校验不准确误判，或者参数数据没校验，导致后面的固件加载校验出错。
主权项：1.一种NandFlash参数数据的校验方法，其特征在于，在NandFlash中的第一存储区存储有NandFlash的MFG信息，在NandFlash中的第二存储区存储有所述MFG信息的第1备份信息，在NandFlash中的第三存储区存储有所述MFG信息的第2备份信息，方法包括：根据预先设定的CRC校验算法，对所述MFG信息进行校验得到值X1，比较所述X1和预先随MFG信息一并拷贝到所述第一存储区中理论值Y1，若相同则第一校验通过，根据所述MFG信息读取固件信息，进入下一级启动；若第一校验不通过，则对所述第1备份信息进行校验得到值X2，比较所述X2和预先随第1备份信息一并拷贝到所述第二存储区中理论值Y2，若相同则第二校验通过，根据所述第1备份信息读取固件信息，进入下一级启动；若第二校验不通过，则对所述第2备份信息进行校验得到值X3，比较所述X3和预先随第2备份信息一并拷贝到所述第三存储区中理论值Y3，若相同则第三校验通过，根据所述第2备份信息读取固件信息，进入下一级启动。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉光迅科技股份有限公司 一种Nand Flash参数数据的校验方法和装置
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